IRHNS67260
现货，推荐

IRHNS67260

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNS67260
IRHNS67260
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    40 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL部件号
    2N7583U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    28 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNS67260 R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、200V、56A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，该 COTS 器件非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。采用 SupIR-SMD 封装，其电压控制、快速切换和温度稳定性使其成为空间应用的绝佳选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区