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IRHNS67260

数据手册
封装

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IRHNS67260
IRHNS67260
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    40 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL Part Number
    2N7583U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    28 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNS67260 R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、200V、56A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，该 COTS 器件非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。采用 SupIR-SMD 封装，其电压控制、快速切换和温度稳定性使其成为空间应用的绝佳选择。

应用

文档

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }