IRHNS67260
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IRHNS67260

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IRHNS67260
IRHNS67260
  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    40 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL部件号
    2N7583U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    28 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNS67260 R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、200V、56A 器件,电气性能高达 100krad(Si) TID。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,该 COTS 器件非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。采用 SupIR-SMD 封装,其电压控制、快速切换和温度稳定性使其成为空间应用的绝佳选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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