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IRHNS7460SE
商品详情
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QG220 nC
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最高 RDS (on) (@25°C)320 mΩ
-
最高 TID100 Krad(Si)
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VBRDSS500 V
-
最高 VF1.8 V
-
可选TID等级 (kRad(si))100
-
封装SupIR-SMD
-
拓扑结构Discrete
-
极性N
-
生成R4
-
芯片尺寸6
-
质量等级COTS
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OPN
|
|
| 产品状态 | active and preferred |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SUPIR SMD |
| 封装尺寸 | N/A |
| 封装类型 | N/A |
| 湿度 | N/A |
| 防潮封装 | N/A |
| 无铅 | No |
| 无卤素 | No |
| 符合RoHS标准 | No |
|
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SUPIR SMD |
| 封装尺寸 | 0 |
| 封装类型 | |
| 湿度 | - |
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| 无铅 | |
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IRHNS7460SE SupIR-SMD N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的抗辐射、500V、12A 设备。其 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术在卫星应用中提供了高性能和可靠性，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低功率损耗。这款 COTS 器件 IRHNS7460SE 具有总剂量和单粒子效应 (SEE) 的特点，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。
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