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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHNS9A3064 R9 N 沟道 MOSFET 是采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射器件，具有 60V 和 100A 的能力。它是一种 COTS 设备，提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能，非常适合空间应用。它具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，可降低功率损耗并提高功率密度。MOSFET 还提供电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性。
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