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IRHNS9A3064

数据手册
封装

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IRHNS9A3064
IRHNS9A3064
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    100 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL部件号
    2N7652U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    4 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNS9A3064 R9 N 沟道 MOSFET 是采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射器件，具有 60V 和 100A 的能力。它是一种 COTS 设备，提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能，非常适合空间应用。它具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，可降低功率损耗并提高功率密度。MOSFET 还提供电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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