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IRHNS9A3160

数据手册
封装

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IRHNS9A3160
IRHNS9A3160
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    93 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL Part Number
    2N7653U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    6.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET IRHNS9A3160 具有抗辐射能力，额定电压为 100V，电流容量为 100A。它采用 SupIR-SMD 封装，电气性能高达 300krad(Si) TID。IRHNS9A3160 是一款 COTS 器件，具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，可在 DC-DC 转换器和电机控制器中实现高功率密度。空间应用的可靠选择。

应用

文档

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