IRHNS9A3160
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IRHNS9A3160

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IRHNS9A3160
IRHNS9A3160
  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    93 A
  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL部件号
    2N7653U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    6.5 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
N 沟道 MOSFET IRHNS9A3160 具有抗辐射能力,额定电压为 100V,电流容量为 100A。它采用 SupIR-SMD 封装,电气性能高达 300krad(Si) TID。IRHNS9A3160 是一款 COTS 器件,具有低 RDS(on) 和更快的开关时间,可在 DC-DC 转换器和电机控制器中实现高功率密度。空间应用的可靠选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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