IRHNS9A97160
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IRHNS9A97160

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IRHNS9A97160
IRHNS9A97160
  • ESD等级
    3B
  • 最高 ID (@25°C)
    -91 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7665U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    17 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 最高 电压等级
    -100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNS9A97160 P 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能,电压为 -100V 和电流为 -91A,采用单个 SupIR-SMD 封装,电气性能高达 100krad(Si) TID。IR HiRel R9 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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