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停产
已停产
符合RoHS标准

IRLZ34N

停产
采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRLZ34N
IRLZ34N
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    30 A
  • 最高 Ptot
    56 W
  • Qgd
    9.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    16.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    35 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    60 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.7 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.27
OPN
IRLZ34NPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对宽分布接入进行了优化
  • 符合 JEDEC 标准的产品认证
  • 针对 <100kHz 开关进行了优化的硅片
  • 标准通孔功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 可通过分销商广泛购买
  • 行业标准资格
  • 低频。性能
  • 轻松交换：标准引脚排列
  • 高电流能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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