现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRS2111S

具有击穿保护功能的 600 V 半桥栅极驱动器 IC
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRS2111S
IRS2111S
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • Turn Off Propagation Delay
    150 ns
  • Turn On Propagation Delay
    750 ns
  • Voltage Class
    600 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Source)
    0.29 A
  • Output Current (Sink)
    0.6 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    Half Bridge
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
受到推崇的
OPN
IRS2111STRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引线 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也可提供 8 引脚 SOIC 封装。

特性

  • 用于引导操作的浮动驱动器。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • CMOS 施密特触发输入
  • 匹配属性。两个通道均延迟。
  • 内部设置死区时间
  • 高端输出与输入同相

应用

图表

Circuit_Diagramm_IRS2111
Circuit_Diagramm_IRS2111
Circuit_Diagramm_IRS2111 Circuit_Diagramm_IRS2111 Circuit_Diagramm_IRS2111
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