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JANSF2N7653U2A

数据手册
封装

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JANSF2N7653U2A
JANSF2N7653U2A
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    93 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL Part Number
    2N7653U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    6.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7653U2A 是采用 SuperIR-SMD 封装的单 R9 N 沟道 MOSFET，专为空间应用而设计。该设备的额定电压为 100V，额定电流为 100A，可提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能，并提高了对单粒子效应 (SEE) 的免疫力。超级结 MOSFET 具有低 RDS(on) 和快速开关时间，使其适用于 DC-DC 转换器或太空电机驱动器等高压应用。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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