JANSF2N7653U2A
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JANSF2N7653U2A

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JANSF2N7653U2A
JANSF2N7653U2A
  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    93 A
  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL部件号
    2N7653U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    6.5 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSF2N7653U2A 是采用 SuperIR-SMD 封装的单 R9 N 沟道 MOSFET,专为空间应用而设计。该设备的额定电压为 100V,额定电流为 100A,可提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能,并提高了对单粒子效应 (SEE) 的免疫力。超级结 MOSFET 具有低 RDS(on) 和快速开关时间,使其适用于 DC-DC 转换器或太空电机驱动器等高压应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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