CoolSiC™ Hybrid 器件

碳化硅 (SiC) 二极管和晶体管是现代创新电力电子产品的关键元件

关于

CoolSiC™ Hybrid 器件

将碳化硅二极管与硅基 IGBT 搭配使用，可借助混合型功率开关器件，将 IGBT 技术的性能提升至更高能效层级。CoolSiC™ hybrid 产品在低成本纯 Si 解决方案和高性能的全 SiC MOSFET 设计方案之间架起了一座性价比桥梁。

CoolSiC™ hybrid 分立器件： 可快速即插即用地将现有的分立设计升级到更高效率，根据经验，每 10 kHz 效率提高 0.1%，例如，23 kHz 工作频率效率提高 0.23%。

CoolSiC™ hybrid： 是纯硅解决方案和碳化硅解决方案之间的理想桥梁。它们将 IGBT 芯片与 SiC 二极管相结合，进一步扩展了 IGBT 技术的容量。

可与 SiC MOSFET 相当的超低开关损耗

在 dV/dt 和 di/dt 值几乎不变的情况下，与 SiC 二极管共封装的 CoolSiC™ hybrid器件显著降低了开关损耗。采用开尔文发射极 4 个引脚封装的超高速 IGBT 能够降低开关损耗，但是会带来更高的 dV/dt 或 di/dt 值(从而导致更差的电磁兼容性)。快速开关 S5 TRENCHSTOP™ 5 650 V IGBT 或超快速开关 H5 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 与Gen6 SiC 续流二极管组合在一起，采用 TO-247 4个引脚封装。除分立产品组合外，我们还提供同类最佳的 12 毫米高度无基板简易模块，其中采用了最新的 TRENCHSTOP™ 技术 S7 和 H5，并与 CoolSiC™ 肖特基二极管组合在一起。

主要特性和优点

CoolSiC™ hybrid 器件具有显著降低开关损耗、近似于 SiC MOS 的效率、具有高性价比的特性，且为 "更安全 "的 SiC MOSFET 替代品，还具有即插即用替代现有 IGBT 解决方案等关键特性。

其主要特点包括：结温降低、开关频率提高、在保持高系统效率的同时具有竞争力的 BOM，以及效率也提高了。每 10 kHz 的开关频率为 0.1%。

CoolSiC™ Hybrid 器件

将碳化硅二极管与硅基 IGBT 搭配使用，可借助混合型功率开关器件，将 IGBT 技术的性能提升至更高能效层级。CoolSiC™ hybrid 产品在低成本纯 Si 解决方案和高性能的全 SiC MOSFET 设计方案之间架起了一座性价比桥梁。

CoolSiC™ hybrid 分立器件： 可快速即插即用地将现有的分立设计升级到更高效率，根据经验，每 10 kHz 效率提高 0.1%，例如，23 kHz 工作频率效率提高 0.23%。

CoolSiC™ hybrid： 是纯硅解决方案和碳化硅解决方案之间的理想桥梁。它们将 IGBT 芯片与 SiC 二极管相结合，进一步扩展了 IGBT 技术的容量。

可与 SiC MOSFET 相当的超低开关损耗

在 dV/dt 和 di/dt 值几乎不变的情况下，与 SiC 二极管共封装的 CoolSiC™ hybrid器件显著降低了开关损耗。采用开尔文发射极 4 个引脚封装的超高速 IGBT 能够降低开关损耗，但是会带来更高的 dV/dt 或 di/dt 值(从而导致更差的电磁兼容性)。快速开关 S5 TRENCHSTOP™ 5 650 V IGBT 或超快速开关 H5 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 与Gen6 SiC 续流二极管组合在一起，采用 TO-247 4个引脚封装。除分立产品组合外，我们还提供同类最佳的 12 毫米高度无基板简易模块，其中采用了最新的 TRENCHSTOP™ 技术 S7 和 H5，并与 CoolSiC™ 肖特基二极管组合在一起。

主要特性和优点

CoolSiC™ hybrid 器件具有显著降低开关损耗、近似于 SiC MOS 的效率、具有高性价比的特性，且为 "更安全 "的 SiC MOSFET 替代品，还具有即插即用替代现有 IGBT 解决方案等关键特性。

其主要特点包括：结温降低、开关频率提高、在保持高系统效率的同时具有竞争力的 BOM，以及效率也提高了。每 10 kHz 的开关频率为 0.1%。

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