OptiMOS™ 6 80 V - 最新的功率 MOSFET 技术，为高功率密度设计设定了新的行业标准

OptiMOS™ 6 80 V - 最新的功率 MOSFET 技术，通过包括 PQFN 3.3x3.3 在内的广泛产品组合设定了新的行业标杆0性能 RDS(on) max 范围从 5.3 mΩ 至 15.7 mΩ，PQFN 5x6 (SuperSO8) 的 RDS(on) max 范围从 1.45 mΩ 至 15.1 mΩ。

与最新的 OptiMOS™ 5 技术相比，英飞凌领先的薄晶圆技术可显著提高性能，包括 SuperSO8 中的 R DS(on)降低 24% 以上、FOM Qg x RDS(on)和 FOM Q gd x R DS(on)提高约 40%，以及 PQFN 3.3x3.3 中的 RDS(on)降低 28% 以上、FOM 提高约 40%。性能的提升使得热设计更加容易、并联更少，从而提高系统效率、提高功率密度并降低系统成本。

英飞凌的 OptiMOS™ 6 80 V 系列非常适合电信、服务器和太阳能等高开关频率应用，并且由于性能改进， OptiMOS™ 6 80 V 还可用于电池供电应用以及电池管理系统 (BMS)。

主要特性：

  • 标杆性能
    • 与 SuperSO8 中同类最佳的 OptiMOS™ 5 相比，RDS(on) 降低 24% 以上，FOM 改善 40% 左右
    • 与OptiMOS™ 5 PQFN 3.3x3.3 同类最佳产品相比，RDS(on) 降低 28% 以上，FOM 改善 40% 左右
  • 具有 RDS(on) 选项的行业标准封装产品组合，可实现最佳成本/性能选择
  • 正常电平栅极驱动可防止嘈杂环境中的误开通
  • 额定温度为 175°C，与额定温度为 150°C 的器件相比，其功率、SOA 和雪崩电流额定值均有所提高
  • 英飞凌的基准可靠性工业认证

主要优势

  • 传导损耗比同等 OptiMOS™ 5 更低
  • 开关损耗比同等 OptiMOS™ 5 更低
  • 稳定可靠的性能
  • 提供广泛的产品组合以实现供应链灵活性

了解更多有关 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 80 V 的信息

如何选择合适的 MOSFET

OptiMOS™ 6 80 V是最新的功率 MOSFET 技术，与 OptiMOS™ 5以及 OptiMOS™ 3一起完善了英飞凌工业产品组合。如果您正在寻找高性能应用、业界最佳品质因数以及高效率和高功率密度，这一技术是您理想的选择。

英飞凌 80 V 解决方案
英飞凌 80 V 解决方案
英飞凌 80 V 解决方案

性能概览（RDS(on)、Qg、FOM、SOA）

Optimos 6 80V 英飞凌 MOSFET 性能概述
Optimos 6 80V 英飞凌 MOSFET 性能概述
Optimos 6 80V 英飞凌 MOSFET 性能概述

RDS(on) 是 MOSFET 的关键参数之一，表示在漏极和源极端子之间在导通状态下测得的电阻。

较低的 RDS(on) 值可产生：

  • 减少传导损耗
  • 减少或避免部件并联，节省成本和 PCB 空间，从而实现更高的功率密度！

具有 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 6 80 V （图 1）可实现：

  • 与 OptiMOS™ 5相比，导通电阻降低 24%
  • 新型 OptiMOS™ 6 80 V 产品具有较低的 R DS(on)值，从而导致：
    • 增加功率密度
    • 与次优方案相比，传导损耗减少约 20%

采用 PQFN 3.3x3.3 封装的 OptiMOS™ 6 80 V （图 2）可实现：

与 OptiMOS™ 5相比，导通电阻降低 29%

新型 OptiMOS™ 6 80 V 产品中的低 R DS(on) 值可实现：

  • 增加功率密度
  • 与 OptiMOS™ 5 相比，传导损耗减少约 30%
Optimos 6 80v MOSFET 总栅极电荷
Optimos 6 80v MOSFET 总栅极电荷
Optimos 6 80v MOSFET 总栅极电荷

总栅极电荷（Qg） 是在某些特定条件下，需要提供给栅极以打开（驱动） MOSFET 的电荷量。在高开关频率应用中，较小的 Qg 值是十分必要的，因为它直接影响驱动损耗。

栅极 - 漏极电荷 Qgd 表示与米勒平台延伸相关的栅极电荷部分，这是完成漏极电压转换所需要的。对于相同的驱动电路，较低的 Qgd意味着更快的电压瞬变，因此开关损耗更低。这对于高开关频率、硬开关 SMPS 来说至关重要，因为开关损耗在其中起着重要作用。

与类似的 RDS(on) 产品相比，OptiMOS™ 6 80 V  的 Qg 和Qgd较OptiMOS™ 5 提高了约 40%。

Optimos 6 和 5 80v 品质因数
Optimos 6 和 5 80v 品质因数
Optimos 6 和 5 80v 品质因数

MOSFET的品质因数（FOM）是考虑导通和开关损耗的技术性能指标。FOM 计算为导通电阻 (RDS(on)) 乘以总栅极电荷 (Qg)，通常以 mΩ x nC 表示。

Optimos 6 100V 安全工作区
Optimos 6 100V 安全工作区
Optimos 6 100V 安全工作区

SOA是由电压和电流条件定义的图表，在该条件下 MOSFET 可以运行而不会导致永久性损坏或性能下降。

通过对同类最佳 OptiMOS™ 5 (1.9 mΩ) 和 OptiMOS™ 6 (1.5 mΩ) SuperSO8 产品的 SOA 进行比较，可以发现80 V 的新技术在线性工作区域内表现出显著的改善。

OptiMOS™ 6 80 V 采用 SuperSO8/PQFN 3.3x3.3 封装

目标应用和展示的价值主张

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应用测试结果

英飞凌OptiMOS™ 6 80 V 系列非常适合电信、服务器和太阳能等高开关频率应用，并且由于性能改进， OptiMOS™ 6 80 V 还可用于电池供电应用以及电池管理系统 (BMS)。

OptiMOS™ 6 80 V 的价值主张已在应用测试中得到清晰证明：

在数据通信软开关 LLC 1 kW ¼ Brick 应用中： OptiMOS™ 6 80 V ISC014N08NM6 (1.45 mΩ) 采用 PQFN 5x6 封装，具有业界最低的 RDS(on) ，可以替代两个OptiMOS™ 5 BSC030N08NS5 (3.0 mΩ)。由于 Qg、Qgd 和 Ross的改善，效率也提高了 0.8%。

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在电信硬开关全桥/中心抽头、600 W 1/4 砖应用中：OptiMOS™ 6 80 V ISZ053N08NM6 (5.3 mΩ) 拥有业界最低的导通电阻 RDS(on)并采用 PQFN 3.3x3.3 封装，拥有业界最低的导通电阻 (RDS(on))，可实现紧凑设计，PCB 面积减少 64%。得益于更低的Qoss 、品质因数和 Qrr的提升，中负载至满负载效率也提升高达 0.3% 。

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三个 OptiMOS™ 6 80 V ISC031N08NM6 (3.1 mΩ) 可以替代四个OptiMOS™ 5 BSC040N08NS5 (4.0 mΩ)，具有空间/成本优势。由于Qoss 降低、品质因数和Qrr改善，满载条件下的效率提高高达0.7%。

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OptiMOS™ 6 80 V 目前有 SuperSO8 和 PQFN 3.3x3.3 两种封装可供选择。

文档

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评估板
REF_1KW_LLC_XDPP1100

如何选择合适的 MOSFET

OptiMOS™ 6 80 V是最新的功率 MOSFET 技术，与 OptiMOS™ 5以及 OptiMOS™ 3一起完善了英飞凌工业产品组合。如果您正在寻找高性能应用、业界最佳品质因数以及高效率和高功率密度，这一技术是您理想的选择。

英飞凌 80 V 解决方案
英飞凌 80 V 解决方案
英飞凌 80 V 解决方案

性能概览（RDS(on)、Qg、FOM、SOA）

Optimos 6 80V 英飞凌 MOSFET 性能概述
Optimos 6 80V 英飞凌 MOSFET 性能概述
Optimos 6 80V 英飞凌 MOSFET 性能概述

RDS(on) 是 MOSFET 的关键参数之一，表示在漏极和源极端子之间在导通状态下测得的电阻。

较低的 RDS(on) 值可产生：

  • 减少传导损耗
  • 减少或避免部件并联，节省成本和 PCB 空间，从而实现更高的功率密度！

具有 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 6 80 V （图 1）可实现：

  • 与 OptiMOS™ 5相比，导通电阻降低 24%
  • 新型 OptiMOS™ 6 80 V 产品具有较低的 R DS(on)值，从而导致：
    • 增加功率密度
    • 与次优方案相比，传导损耗减少约 20%

采用 PQFN 3.3x3.3 封装的 OptiMOS™ 6 80 V （图 2）可实现：

与 OptiMOS™ 5相比，导通电阻降低 29%

新型 OptiMOS™ 6 80 V 产品中的低 R DS(on) 值可实现：

  • 增加功率密度
  • 与 OptiMOS™ 5 相比，传导损耗减少约 30%
Optimos 6 80v MOSFET 总栅极电荷
Optimos 6 80v MOSFET 总栅极电荷
Optimos 6 80v MOSFET 总栅极电荷

总栅极电荷（Qg） 是在某些特定条件下，需要提供给栅极以打开（驱动） MOSFET 的电荷量。在高开关频率应用中，较小的 Qg 值是十分必要的，因为它直接影响驱动损耗。

栅极 - 漏极电荷 Qgd 表示与米勒平台延伸相关的栅极电荷部分，这是完成漏极电压转换所需要的。对于相同的驱动电路，较低的 Qgd意味着更快的电压瞬变，因此开关损耗更低。这对于高开关频率、硬开关 SMPS 来说至关重要，因为开关损耗在其中起着重要作用。

与类似的 RDS(on) 产品相比，OptiMOS™ 6 80 V  的 Qg 和Qgd较OptiMOS™ 5 提高了约 40%。

Optimos 6 和 5 80v 品质因数
Optimos 6 和 5 80v 品质因数
Optimos 6 和 5 80v 品质因数

MOSFET的品质因数（FOM）是考虑导通和开关损耗的技术性能指标。FOM 计算为导通电阻 (RDS(on)) 乘以总栅极电荷 (Qg)，通常以 mΩ x nC 表示。

Optimos 6 100V 安全工作区
Optimos 6 100V 安全工作区
Optimos 6 100V 安全工作区

SOA是由电压和电流条件定义的图表，在该条件下 MOSFET 可以运行而不会导致永久性损坏或性能下降。

通过对同类最佳 OptiMOS™ 5 (1.9 mΩ) 和 OptiMOS™ 6 (1.5 mΩ) SuperSO8 产品的 SOA 进行比较，可以发现80 V 的新技术在线性工作区域内表现出显著的改善。

OptiMOS™ 6 80 V 采用 SuperSO8/PQFN 3.3x3.3 封装

目标应用和展示的价值主张

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应用测试结果

英飞凌OptiMOS™ 6 80 V 系列非常适合电信、服务器和太阳能等高开关频率应用，并且由于性能改进， OptiMOS™ 6 80 V 还可用于电池供电应用以及电池管理系统 (BMS)。

OptiMOS™ 6 80 V 的价值主张已在应用测试中得到清晰证明：

在数据通信软开关 LLC 1 kW ¼ Brick 应用中： OptiMOS™ 6 80 V ISC014N08NM6 (1.45 mΩ) 采用 PQFN 5x6 封装，具有业界最低的 RDS(on) ，可以替代两个OptiMOS™ 5 BSC030N08NS5 (3.0 mΩ)。由于 Qg、Qgd 和 Ross的改善，效率也提高了 0.8%。

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在电信硬开关全桥/中心抽头、600 W 1/4 砖应用中：OptiMOS™ 6 80 V ISZ053N08NM6 (5.3 mΩ) 拥有业界最低的导通电阻 RDS(on)并采用 PQFN 3.3x3.3 封装，拥有业界最低的导通电阻 (RDS(on))，可实现紧凑设计，PCB 面积减少 64%。得益于更低的Qoss 、品质因数和 Qrr的提升，中负载至满负载效率也提升高达 0.3% 。

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三个 OptiMOS™ 6 80 V ISC031N08NM6 (3.1 mΩ) 可以替代四个OptiMOS™ 5 BSC040N08NS5 (4.0 mΩ)，具有空间/成本优势。由于Qoss 降低、品质因数和Qrr改善，满载条件下的效率提高高达0.7%。

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OptiMOS™ 6 80 V 目前有 SuperSO8 和 PQFN 3.3x3.3 两种封装可供选择。