更简单的设计路径可提供更高的功率密度和更高的可靠性

下一代卫星中不断增长的数字有效载荷处理需求推动了高功率 FPGA 和 ASIC 的更多使用，以处理更多的机载处理、在轨重新配置、人工智能等。提供更大的灵活性和更高的数据吞吐量意味着电源管理和分配（PMAD）的电源拓扑也必须适应这些不断变化的要求。

整体系统可靠性仍然是提高卫星服务效率的关键因素。系统设计采用体积小、重量轻且节能的组件（例如电源转换级和配电中使用的抗辐射 MOSFET）可以帮助优化性能。

典型卫星中的功率 FET 组合大约分为 60% N 通道和 40% P 通道，IR HiRel 的最新一代 R9 超结抗辐射 P 通道 FET 填补了明显的市场空白。在负载切换、负载排序、电源冗余和浪涌电流限制等应用中尤其如此，其中 P 通道 FET 提供比 N 通道器件更简单的设计路径，提供更高的功率密度和更高的可靠性。

新型器件的 SOA 更宽，提高了给定封装尺寸的 P 沟道晶体管的功率处理能力。此外，这些器件具有更好的 R DS(on)性能，可能允许某些配电应用不再使用 N 沟道 MOSFET，而是利用 P 沟道 MOSFET 更简单的栅极驱动要求。

英飞凌的 R9 抗辐射 MOSFET 产品组合提供多种密封封装，包括根据 MIL-PRF-19500 筛选的 N 沟道和 P 沟道器件。可提供 QPL 认证版本。

了解有关 R9 抗辐射 FET 技术的更多信息

了解有关 R9 抗辐射 FET 技术的更多信息

查看产品组合

查看 R9 N 沟道 FET
查看 R9 P 沟道 FET