业界领先的AI数据中心性能和效率

人工智能数据中心推动的不断增长的电力需求迫使电源单元 (PSU) 设计的快速发展，从 800 W 增长到惊人的 12 kW，预计将采用三相设计。此外，系统效率要求已上升至 97.5% 以上，同时功率密度也不断提高（例如 100 W/in³），以满足外形尺寸限制，同时保持严格的保持时间要求。

英飞凌将应用和系统专业知识与数据中心运营商和电源制造商的意见相结合，形成了完整的参考板路线图。作为功率半导体领域的领导者，这些 PSU 拥有高性能碳化硅 MOSFET - CoolSiC ™ 、氮化镓晶体管 - CoolGaN ™和硅 MOSFET - CoolMOS ™ ，利用每种技术的优势，最大限度地提高从交流到直流的性能，并超越效率和功率密度的要求。

您想深入了解英飞凌的 AI SMPS 产品组合吗？在此处查看我们的交互式框图，或观看我们最新的网络研讨会点播。

AI-PSU板的演变
AI-PSU板的演变
AI-PSU板的演变

利用高效 PSU 解决方案推动 AI 服务器机架脱碳

服务器和数据中心 3 kW 50 V PSU

EVAL_3KW_50V_PSU

系统功能
  • 符合 Open Compute V3 整流器规格的完整电源
  • 97.5% 峰值效率
  • 采用 CoolSiC ™无桥图腾柱 PFC
  • 采用 CoolMOS ™和 OptiMOS ™半桥 LLC
  • 采用 XMCTM 微控制器进行全数字控制
客户优势
  • Open Compute V3 整流器（PSU）外形尺寸
  • 满载时保持时间为 20 毫秒
  • EMC B 类预合规测试
  • 可用作评估板
亮点
  • CoolSiC ™ MOSFET 650 V
  • 600 V CoolMOS ™ SJ MOSFET C7
  • 600V CoolMOS ™ SJ MOSFET CFD7
  • OptiMOS ™ 5 功率MOSFET 80V
  • EiceDRIVER ™单通道和双通道驱动器
  • CoolSET ™反激式控制器，集成 800 V CoolMOS ™
  • XMC ™工业微控制器
  • DC-DC降压稳压器
  • 中功率肖特基二极管

3.3 kW 高频高功率密度 (HF/HD) 整流器

REF_3K3W_HFHD_电源

系统方法
  • 基准效率 97.5% @ 95 W/in³（包括所有/1U 外形尺寸）
  • CoolSiC ™ 、CoolGaN ™ 、CoolMOS ™ 、OptiMOS ™以及实现最高效率和功率密度的技术
  • 新型集成平面磁性结构
  • 全数字控制（PFC 和 DC-DC）
  • 图腾柱PFC + 半桥GaN LLC
客户优势
  • 完整的电源单元（PSU），包括 PFC + DC-DC
  • 保持时间延长电路
  • 可用作参考板
亮点
  • CoolSiC ™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN ™晶体管 650V
  • 600V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET
  • CoolSiC ™肖特基二极管 G5 650 V
  • EiceDRIVER ™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • OptiMOS ™ 5 MOSFET 80V
  • CoolSET ™反激式控制器，集成 800 V CoolMOS ™
  • 关于 ISOFACE™ 数字隔离器
  • XMC ™工业微控制器

适用于人工智能数据中心和服务器的 8 kW 高功率密度和高频电源

REF_8KW_HFHD_电源

系统方法
  • 全数字控制交错无桥图腾柱 PFC + 全桥 GaN LLC
  • 基准效率 97.5%（优化设计以减少冷却工作量 - 减少空调）
  • 高功率密度 100 W/in³（是 ORv3 规格的两倍）
  • 得益于 GaN 晶体管，高压 LLC 中的频率最高
客户优势
  • 完整的电源单元 (PSU)，包括单相 PFC + DCDC
  • 通过混合开关方法（Si、SiC 和 GaN）实现出色的系统性能
  • 最高的效率和功率密度
  • 遵循 ORv3 服务器规格
  • 减少电容器数量，减小体积，提高可靠性并缩小系统尺寸。
  • 可用作参考板
亮点
  • CoolSiC ™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN ™晶体管 650 V
  • 600V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET
  • OptiMOS ™ 5 功率MOSFET 80V
  • OptiMOS ™ 5 功率MOSFET 60V
  • EiceDRIVER ™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • 集成 800 V CoolMOS ™的 CoolSET ™反激式控制器
  • OPTIREG ™开关
  • 关于 ISOFACE™ 数字隔离器

REF_8KW_HFHD_PSU：8千瓦电源单元

探索英飞凌REF_8KW_HFHD_PSU电源方案，这款紧凑型8千瓦电源设计可实现97.5%峰值效率和100瓦/立方英寸功率密度。专为人工智能与数据中心应用打造，该电源融合先进CoolMOS™、CoolSiC™、CoolGaN™及OptiMOS™技术，采用500 kHz LLC开关频率与20毫秒保持时间。探索其如何以无与伦比的性能满足新一代基础设施需求。

适用于人工智能数据中心和服务器的 12 kW 高功率密度和高频电源

REF_12KW_HFHD_电源

系统方法
  • 全数字控制交错无桥图腾柱 PFC + 全桥 GaN LLC
  • 基准高于峰值效率 97.5%（优化设计以减少冷却工作量 - 减少空调）
  • 230 VAC 和 100% 输出负载时效率为 96.5%
  • 40 x 68 x 640 毫米（含底盘）
  • 高功率密度 113 W/in3
客户优势
  • 完整的电源单元 (PSU)，包括单相 PFC + DCDC
  • 混合开关方法（Si、SiC 和 GaN）实现了出色的系统性能
  • 最高的效率和功率密度
  • 遵循 19 英寸机架尺寸的服务器
  • 减少电容器数量，以减小体积，提高可靠性并缩小系统尺寸，部署能量缓冲电路。
  • 可用作参考板
亮点
  • CoolSiC ™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN ™晶体管 650 V
  • 600V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET
  • CoolGaN ™晶体管 100V
  • OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100 V
  • EiceDRIVER ™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • OPTIREG ™开关
  • 集成 800 V CoolMOS ™的 CoolSET ™反激式控制器

服务器和数据中心 3 kW 50 V PSU

EVAL_3KW_50V_PSU

系统功能
  • 符合 Open Compute V3 整流器规格的完整电源
  • 97.5% 峰值效率
  • 采用 CoolSiC ™无桥图腾柱 PFC
  • 采用 CoolMOS ™和 OptiMOS ™半桥 LLC
  • 采用 XMCTM 微控制器进行全数字控制
客户优势
  • Open Compute V3 整流器（PSU）外形尺寸
  • 满载时保持时间为 20 毫秒
  • EMC B 类预合规测试
  • 可用作评估板
亮点
  • CoolSiC ™ MOSFET 650 V
  • 600 V CoolMOS ™ SJ MOSFET C7
  • 600V CoolMOS ™ SJ MOSFET CFD7
  • OptiMOS ™ 5 功率MOSFET 80V
  • EiceDRIVER ™单通道和双通道驱动器
  • CoolSET ™反激式控制器，集成 800 V CoolMOS ™
  • XMC ™工业微控制器
  • DC-DC降压稳压器
  • 中功率肖特基二极管

3.3 kW 高频高功率密度 (HF/HD) 整流器

REF_3K3W_HFHD_电源

系统方法
  • 基准效率 97.5% @ 95 W/in³（包括所有/1U 外形尺寸）
  • CoolSiC ™ 、CoolGaN ™ 、CoolMOS ™ 、OptiMOS ™以及实现最高效率和功率密度的技术
  • 新型集成平面磁性结构
  • 全数字控制（PFC 和 DC-DC）
  • 图腾柱PFC + 半桥GaN LLC
客户优势
  • 完整的电源单元（PSU），包括 PFC + DC-DC
  • 保持时间延长电路
  • 可用作参考板
亮点
  • CoolSiC ™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN ™晶体管 650V
  • 600V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET
  • CoolSiC ™肖特基二极管 G5 650 V
  • EiceDRIVER ™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • OptiMOS ™ 5 MOSFET 80V
  • CoolSET ™反激式控制器，集成 800 V CoolMOS ™
  • 关于 ISOFACE™ 数字隔离器
  • XMC ™工业微控制器

适用于人工智能数据中心和服务器的 8 kW 高功率密度和高频电源

REF_8KW_HFHD_电源

系统方法
  • 全数字控制交错无桥图腾柱 PFC + 全桥 GaN LLC
  • 基准效率 97.5%（优化设计以减少冷却工作量 - 减少空调）
  • 高功率密度 100 W/in³（是 ORv3 规格的两倍）
  • 得益于 GaN 晶体管，高压 LLC 中的频率最高
客户优势
  • 完整的电源单元 (PSU)，包括单相 PFC + DCDC
  • 通过混合开关方法（Si、SiC 和 GaN）实现出色的系统性能
  • 最高的效率和功率密度
  • 遵循 ORv3 服务器规格
  • 减少电容器数量，减小体积，提高可靠性并缩小系统尺寸。
  • 可用作参考板
亮点
  • CoolSiC ™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN ™晶体管 650 V
  • 600V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET
  • OptiMOS ™ 5 功率MOSFET 80V
  • OptiMOS ™ 5 功率MOSFET 60V
  • EiceDRIVER ™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • 集成 800 V CoolMOS ™的 CoolSET ™反激式控制器
  • OPTIREG ™开关
  • 关于 ISOFACE™ 数字隔离器

REF_8KW_HFHD_PSU：8千瓦电源单元

探索英飞凌REF_8KW_HFHD_PSU电源方案，这款紧凑型8千瓦电源设计可实现97.5%峰值效率和100瓦/立方英寸功率密度。专为人工智能与数据中心应用打造，该电源融合先进CoolMOS™、CoolSiC™、CoolGaN™及OptiMOS™技术，采用500 kHz LLC开关频率与20毫秒保持时间。探索其如何以无与伦比的性能满足新一代基础设施需求。

适用于人工智能数据中心和服务器的 12 kW 高功率密度和高频电源

REF_12KW_HFHD_电源

系统方法
  • 全数字控制交错无桥图腾柱 PFC + 全桥 GaN LLC
  • 基准高于峰值效率 97.5%（优化设计以减少冷却工作量 - 减少空调）
  • 230 VAC 和 100% 输出负载时效率为 96.5%
  • 40 x 68 x 640 毫米（含底盘）
  • 高功率密度 113 W/in3
客户优势
  • 完整的电源单元 (PSU)，包括单相 PFC + DCDC
  • 混合开关方法（Si、SiC 和 GaN）实现了出色的系统性能
  • 最高的效率和功率密度
  • 遵循 19 英寸机架尺寸的服务器
  • 减少电容器数量，以减小体积，提高可靠性并缩小系统尺寸，部署能量缓冲电路。
  • 可用作参考板
亮点
  • CoolSiC ™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN ™晶体管 650 V
  • 600V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET
  • CoolGaN ™晶体管 100V
  • OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100 V
  • EiceDRIVER ™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • OPTIREG ™开关
  • 集成 800 V CoolMOS ™的 CoolSET ™反激式控制器