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停产
已停产
符合RoHS标准

AUIRFS4010

停产
100 V、N 通道、最大 4.7 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、Gen 10.7
数据手册
封装

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AUIRFS4010
AUIRFS4010
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    180 A
  • Ptot max
    375 W
  • Qgd
    50 nC
  • QG (typ @10V) max
    143 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.7 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th) min
    2 V
  • VGS(th) max
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK D2PAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    Gen 10.7
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Qualification
    Automotive
OPN
AUIRFS4010TRL
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款 HEXFET ®功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新的处理技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。其他特性包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些属性使其成为汽车和其他各种应用的高效可靠的选择。

特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 工作温度为 175°C
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩直至 Tjmax
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

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