IRF7103PBF-1

采用 SO-8 封装的 50V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF7103PBF-1
IRF7103PBF-1

商品详情

  • ID (@25°C) max
    3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.5 W
  • Qgd (typ)
    3.5 nC
  • QG (typ @10V)
    12 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    130 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    200 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    1 V to 3 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 行业标准引脚排列 SO-8 封装
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 符合 RoHS 规定,不含卤素
  • MSL1,工业资格

文档

设计资源

开发者社区

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