这是机器翻译的内容,点击这里了解更多

EiceDRIVER™ 2EDi 是双通道隔离式栅极驱动器 IC 产品系列,可在高性能CoolMOS™、CoolSiC™ 和 OptiMOS™ MOSFET 半桥中稳健地运行。这些产品用于初级和次级侧控制的硬开关和软开关拓扑结构。它们对于优化功率转换效率以及确保在标称和异常运行下实现稳健的开关模式电源运行至关重要。

  • 快速电源切换
  • 5A/9A 拉电流和灌电流
  • 传播延迟典型值 38 ns
  • 针对区域和系统 BOM 进行了优化
  • 耐用 CMTI > 150 V/nS
  • 欠压锁定功能
  • 输出到输出通道隔离
  • 输入至输出通道隔离

产品

关于

2EDi 是一系列双通道隔离栅极驱动器 IC,专为驱动 Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN 功率开关而设计。这款产品采用了英飞凌的无芯变压器(CT)技术,实现了高效的隔离功能,具有稳健运行能力和行业基准共模抑制(CMTI)性。它具备高传播延迟精度和低信道间失配,因此非常适合用于快速开关电源系统的设计。 它还具备高 CMTI、高反向电流能力以及输出在 UVLO 以下的快速钳位,因此能够在应用中可靠地运行。

2EDi 系列具有许多优点,其中包括高效率、降损失。其强劲的驱动可降低开关损耗并提供精确的时序、优化死区时间并同步驱动并行 MOSFET。此外,大部分驱动功率从外部消散,减少了驱动器的热负荷。这样就不需要在栅极驱动器输出端加上两个成本高昂的保护二极管,从而实现了用更小的封装提升了热性能。2EDi 系列的保护和安全运行功能得到了进一步增强,例如针对快速开关瞬态的可靠驱动器操作。另外,它还具备电平转换和抗地反弹等功能,满足法规安全的要求。

1 通道和 2 通道电气隔离 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是实现最佳 CoolSiC™ MOSFET 650 V 操作的最佳选择。在 CCM 图腾柱PFC中使用时,功能隔离可提供所需的抗开关噪声的稳健性,而在次级侧控制的 LLC 级中,增强隔离是必不可少的。UVLO_off 阈值保证了在应用所需的电流水平下安全运行 CoolSiC™。业界领先的低输出级阻抗可最大限度地降低 CoolSiC™ 开关损耗。出色的 + 6/-4 ns 传播延迟精度可最大限度地减少死区时间损失。

2EDi 是一系列双通道隔离栅极驱动器 IC,专为驱动 Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN 功率开关而设计。这款产品采用了英飞凌的无芯变压器(CT)技术,实现了高效的隔离功能,具有稳健运行能力和行业基准共模抑制(CMTI)性。它具备高传播延迟精度和低信道间失配,因此非常适合用于快速开关电源系统的设计。 它还具备高 CMTI、高反向电流能力以及输出在 UVLO 以下的快速钳位,因此能够在应用中可靠地运行。

2EDi 系列具有许多优点,其中包括高效率、降损失。其强劲的驱动可降低开关损耗并提供精确的时序、优化死区时间并同步驱动并行 MOSFET。此外,大部分驱动功率从外部消散,减少了驱动器的热负荷。这样就不需要在栅极驱动器输出端加上两个成本高昂的保护二极管,从而实现了用更小的封装提升了热性能。2EDi 系列的保护和安全运行功能得到了进一步增强,例如针对快速开关瞬态的可靠驱动器操作。另外,它还具备电平转换和抗地反弹等功能,满足法规安全的要求。

1 通道和 2 通道电气隔离 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是实现最佳 CoolSiC™ MOSFET 650 V 操作的最佳选择。在 CCM 图腾柱PFC中使用时,功能隔离可提供所需的抗开关噪声的稳健性,而在次级侧控制的 LLC 级中,增强隔离是必不可少的。UVLO_off 阈值保证了在应用所需的电流水平下安全运行 CoolSiC™。业界领先的低输出级阻抗可最大限度地降低 CoolSiC™ 开关损耗。出色的 + 6/-4 ns 传播延迟精度可最大限度地减少死区时间损失。

文档

观看此视频,了解使用专用EiceDRIVER™单通道和双通道栅极驱动器 IC 驱动高压 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 的最新解决方案,如EVAL_2EDB_HB_GAN 、 KIT_1EDB_AUX_GAN和KIT_1EDB_AUX_SIC演示板中所示。 这些小型演示套件具有可配置的隔离偏置电源,允许产生不同的正电压和负电压水平,电压调节率为 1%,功率水平高达 1.5 W。使用这些易于使用的构建块可以加快您的设计周期并缩短产品上市时间。

探索新型双通道隔离驱动器 IC 系列以及它如何帮助优化您的系统。这些驱动器在业内有两个方面是独一无二的:超精确的时序行为和超低电阻输出级。观看视频以了解更多信息!

英飞凌为 MOSFET 提供各种不同的 EiceDRIVER ™栅极驱动器。英飞凌的单通道 MOSFET 栅极驱动器 IC,是连接控制 IC、强大的 MOSFET 和 GaN 开关器件的重要链路。 还有 2EDN 2 通道 MOSFET 驱动器 IC 可用。具有真正差分输入的单通道非隔离栅极驱动器:1EDN TDIEiceDRIVER™ 2EDi 是双通道隔离式栅极驱动器 IC 产品系列,可在高性能CoolMOS™、CoolSiC™ 和 OptiMOS™ MOSFET 半桥中稳健地运行。

在本次网络研讨会中,我们将参观具有一系列共同优势的精选栅极驱动器 IC 产品组合。其中一个示例将说明如何使用具有真正差分输入 (TDI) 的非隔离栅极驱动器 IC 解决带有开尔文源功率 MOSFET 的升压 PFC、直流电机驱动器中的半桥和电池驱动应用的升降压级等应用中经常遇到的挑战。