这是机器翻译的内容,点击这里了解更多

1EDN71x6Gx 是针对 GaN SG HEMS 和硅 MOSFET 优化的单通道栅极驱动芯片系列。该栅极驱动芯片包括几个关键特性,可实现基于快速开关器件系统的高性能设计,包括真正的差分输入TDI、四种不同驱动电流、有源米勒箝位、自举电压箝位,以及带或不带可调电荷泵,分别采用PG-SON-10和PG-TSNP-7封装。

  • 真正的差分输入 (TDI)
  • 四种不同驱动电流
  • 有源米勒钳位
  • 可调负电荷泵
  • 有源自举电容

产品

关于

  • 高压侧驱动和低压侧接地反弹抗扰度
  • 没有外部栅极电阻的优化开关速度
  • 通过主动米勒箝位避免诱导接通
  • 可选的电荷泵可在需要时提供额外的感应开通抗扰度
  • 避免自举电容器在死区时间过度充电

带可调节电荷泵的 PG-SON-10 封装和不带电荷泵的 PG-TSNP-7 封装

由于TDI功能,如果共模电压低于150 V(静态)或者 200 V(动态),则栅极驱动输出状态完全由两个输入之间的电压差控制,与驱动芯片的参考地电位无关。这消除了低边驱动中由于地线干扰而导致的误触发风险,同时也允许 1EDN71x6Gx 可以处理高边驱动的应用。

  • 高压侧驱动和低压侧接地反弹抗扰度
  • 没有外部栅极电阻的优化开关速度
  • 通过主动米勒箝位避免诱导接通
  • 可选的电荷泵可在需要时提供额外的感应开通抗扰度
  • 避免自举电容器在死区时间过度充电

带可调节电荷泵的 PG-SON-10 封装和不带电荷泵的 PG-TSNP-7 封装

由于TDI功能,如果共模电压低于150 V(静态)或者 200 V(动态),则栅极驱动输出状态完全由两个输入之间的电压差控制,与驱动芯片的参考地电位无关。这消除了低边驱动中由于地线干扰而导致的误触发风险,同时也允许 1EDN71x6Gx 可以处理高边驱动的应用。

文档

本文简要介绍了如何并联 CoolGaN ™设备以实现可扩展性,展示了适用于不同功率等级的各种电路板,所有这些电路板都保留了设计工程师所追求的效率和紧凑的外形尺寸。

观看本次网络研讨会,了解如何通过正确的栅极驱动器 IC 和 PCM 布局技术实现简单有效的 GaN HEMT 栅极驱动