为何选择英飞凌 CoolGaN™？

为何选择英飞凌 CoolGaN™？

卓越的产品性能

英飞凌的氮化镓（GaN）功率晶体管，以其卓越的性能和创新的技术，为电源系统带来了前所未有的变革。它们能够在高频下稳定运行，显著提高电源转换效率，同时大幅减小系统尺寸，满足消费和工业应用对高效、紧凑电源解决方案的迫切需求。我们的GaN产品系列涵盖了从60 V到700 V的电压等级，并提供多种封装选项，以适应不同的应用场景和设计要求。

  • 在传统的电源系统设计中，客户常常面临诸多挑战，如效率低下导致能耗增加、系统尺寸过大难以满足小型化需求、散热困难影响设备稳定性和使用寿命等。
  • 英飞凌的GaN功率晶体管凭借其高频运行、超快开关速度、低导通电阻等卓越特性，能够有效解决这些痛点问题。它能够在高频下实现高效的电力转换，显著提高电源效率，降低能耗；同时，其紧凑的封装设计和多种散热选项，有助于减小系统尺寸，满足现代电子设备对小型化的要求；此外，GaN晶体管的低导通电阻和无反向恢复电荷特性，减少了开关损耗，提高了散热性能，延长了设备的使用寿命。
  • 选择英飞凌的GaN功率晶体管，让您的电源系统设计更加高效、可靠、紧凑，为您的产品在市场竞争中脱颖而出提供有力支持。
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英飞凌氮化镓（GaN）
英飞凌氮化镓（GaN）
英飞凌氮化镓（GaN）
卓越的产品性能
  • 电压等级广泛：提供60 V - 700 V的GaN晶体管，满足不同电压需求的应用场景
  • 多种封装选择：顶部和底部冷却封装设计，为不同散热要求和安装空间提供灵活的解决方案
  • 超快开关速度：实现超快的开关切换，提高电源转换效率，降低能量损耗
  • 卓越的FOM：具有卓越的品质因数（FOM），在高频应用中表现出色，为电源系统设计带来更高的性能和可靠性
  • 持续电流范围广：持续电流从4 A到100 A，能够满足不同功率等级的应用需求
  • 低导通电阻：RDS(on)典型值从1.4 mΩ到450 mΩ，降低导通损耗，提高电源效率
  • 增强模式（e-mode）：采用增强模式设计，无需复杂的驱动电路，简化设计流程，提高系统稳定性。
  • 无反向恢复电荷：在开关过程中无反向恢复电荷，减少开关损耗，提高电源性能。
  • 超低栅极电荷和输出电荷：降低栅极和输出电荷，进一步提高开关速度和效率，减少电磁干扰。
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氮化镓（GaN）CoolGaN
氮化镓（GaN）CoolGaN
氮化镓（GaN）CoolGaN
智能驱动，简化设计

基于英飞凌先进的CoolGaN™晶体管技术，CoolGaN™ Drive通过与智能栅极驱动器的紧密结合，为电源设计带来更多的优势和便利。该解决方案提供单开关和半桥集成驱动器选项，能够满足各种复杂的应用需求。

  • 集成栅极驱动器：内置智能栅极驱动器，简化电路设计，提高系统的可靠性和稳定性。

  • 全面的保护功能：具备多种保护功能，如过流保护、过温保护等，确保电源系统在各种工况下的安全运行。

  • 高功率密度：实现更高的功率密度，使电源设备在更小的体积内输出更大的功率，满足现代电子设备对小型化、高性能的要求。

  • 减少物料清单：通过集成多种功能，减少外部元件数量，降低物料成本，同时提高系统的集成度和可靠性。

  • 半桥配置：提供半桥配置选项，方便设计人员实现高效的DC-DC转换和逆变电路。

  • 内置自举二极管：内置自举二极管，简化高侧驱动电路设计，提高系统的效率和可靠性。

  • 顶部冷却封装：采用顶部冷却封装设计，提高散热性能，确保电源系统在高功率运行时的稳定性。

  • 易于设计：CoolGaN™ Drive的设计理念注重易用性，提供完善的开发工具和技术支持，帮助设计人员快速上手，缩短产品开发周期。

进一步了解CoolGaN™ Drive
告别背靠背设计！英飞凌CoolGaN™单片双向开关重塑功率转换​

CoolGaN ™ BDS 650 V G5 包含真正的常关单片 GaN 双向开关，具有四种操作模式。每个器件都具有两个带有衬底端子和独立隔离控制的独立栅极，从而允许采用共漏极配置，利用相同的漂移区来阻止两个方向的电压和电流。通过用一个双向开关替换两个或四个单向开关，设计人员可以显著节省成本，同时实现更高的开关频率和更高的性能。借助 CoolGaN ™ BDS 650 V G5，针对太阳能微逆变器、电机驱动器、AI 服务器或电信 SMPS 的应用可以从提高的效率、密度和可靠性中受益。

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 系列符合 JEDEC 认证，非常适合智能手机 USB 端口的过压保护 (OVP)，也可用作消费电子产品中的电池断路开关。与传统的硅基解决方案相比，40 V GaN 双向开关采用更小的封装，节省了宝贵的 PCB 空间，同时将功率损耗降低 50% 以上。事实上，在 25°C 时，它可以节省 72 mW 的功率损耗，在高温下节省的功率甚至更大。这款 e-mode 常关双向晶体管采用极小的 WL-CSP 封装，典型 RDS(on) 值为 4 mΩ、6 mΩ 和 9 mΩ，是背靠背 Si FET 的理想替代方案，可节省 50% - 75% 的 PCB 面积、减少功率损耗并降低成本。

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对我们的CoolGaN ™解决方案感兴趣吗？

CoolGaN™ ——为消费、工业和汽车应用提供高效率以及高功率密度的分立和集成解决方案。

如果您对我们的 CoolGaN ™产品和解决方案感兴趣，请填写您的需求，我们的专业团队将尽快与您联系，为您提供详细的产品信息和个性化的解决方案，并根据您的项目需求提供选型建议和样品。您的需求，我们的动力！

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卓越的产品性能

英飞凌的氮化镓（GaN）功率晶体管，以其卓越的性能和创新的技术，为电源系统带来了前所未有的变革。它们能够在高频下稳定运行，显著提高电源转换效率，同时大幅减小系统尺寸，满足消费和工业应用对高效、紧凑电源解决方案的迫切需求。我们的GaN产品系列涵盖了从60 V到700 V的电压等级，并提供多种封装选项，以适应不同的应用场景和设计要求。

  • 在传统的电源系统设计中，客户常常面临诸多挑战，如效率低下导致能耗增加、系统尺寸过大难以满足小型化需求、散热困难影响设备稳定性和使用寿命等。
  • 英飞凌的GaN功率晶体管凭借其高频运行、超快开关速度、低导通电阻等卓越特性，能够有效解决这些痛点问题。它能够在高频下实现高效的电力转换，显著提高电源效率，降低能耗；同时，其紧凑的封装设计和多种散热选项，有助于减小系统尺寸，满足现代电子设备对小型化的要求；此外，GaN晶体管的低导通电阻和无反向恢复电荷特性，减少了开关损耗，提高了散热性能，延长了设备的使用寿命。
  • 选择英飞凌的GaN功率晶体管，让您的电源系统设计更加高效、可靠、紧凑，为您的产品在市场竞争中脱颖而出提供有力支持。
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卓越的产品性能
  • 电压等级广泛：提供60 V - 700 V的GaN晶体管，满足不同电压需求的应用场景
  • 多种封装选择：顶部和底部冷却封装设计，为不同散热要求和安装空间提供灵活的解决方案
  • 超快开关速度：实现超快的开关切换，提高电源转换效率，降低能量损耗
  • 卓越的FOM：具有卓越的品质因数（FOM），在高频应用中表现出色，为电源系统设计带来更高的性能和可靠性
  • 持续电流范围广：持续电流从4 A到100 A，能够满足不同功率等级的应用需求
  • 低导通电阻：RDS(on)典型值从1.4 mΩ到450 mΩ，降低导通损耗，提高电源效率
  • 增强模式（e-mode）：采用增强模式设计，无需复杂的驱动电路，简化设计流程，提高系统稳定性。
  • 无反向恢复电荷：在开关过程中无反向恢复电荷，减少开关损耗，提高电源性能。
  • 超低栅极电荷和输出电荷：降低栅极和输出电荷，进一步提高开关速度和效率，减少电磁干扰。
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氮化镓（GaN）CoolGaN
氮化镓（GaN）CoolGaN
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智能驱动，简化设计

基于英飞凌先进的CoolGaN™晶体管技术，CoolGaN™ Drive通过与智能栅极驱动器的紧密结合，为电源设计带来更多的优势和便利。该解决方案提供单开关和半桥集成驱动器选项，能够满足各种复杂的应用需求。

  • 集成栅极驱动器：内置智能栅极驱动器，简化电路设计，提高系统的可靠性和稳定性。

  • 全面的保护功能：具备多种保护功能，如过流保护、过温保护等，确保电源系统在各种工况下的安全运行。

  • 高功率密度：实现更高的功率密度，使电源设备在更小的体积内输出更大的功率，满足现代电子设备对小型化、高性能的要求。

  • 减少物料清单：通过集成多种功能，减少外部元件数量，降低物料成本，同时提高系统的集成度和可靠性。

  • 半桥配置：提供半桥配置选项，方便设计人员实现高效的DC-DC转换和逆变电路。

  • 内置自举二极管：内置自举二极管，简化高侧驱动电路设计，提高系统的效率和可靠性。

  • 顶部冷却封装：采用顶部冷却封装设计，提高散热性能，确保电源系统在高功率运行时的稳定性。

  • 易于设计：CoolGaN™ Drive的设计理念注重易用性，提供完善的开发工具和技术支持，帮助设计人员快速上手，缩短产品开发周期。

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告别背靠背设计！英飞凌CoolGaN™单片双向开关重塑功率转换​

CoolGaN ™ BDS 650 V G5 包含真正的常关单片 GaN 双向开关，具有四种操作模式。每个器件都具有两个带有衬底端子和独立隔离控制的独立栅极，从而允许采用共漏极配置，利用相同的漂移区来阻止两个方向的电压和电流。通过用一个双向开关替换两个或四个单向开关，设计人员可以显著节省成本，同时实现更高的开关频率和更高的性能。借助 CoolGaN ™ BDS 650 V G5，针对太阳能微逆变器、电机驱动器、AI 服务器或电信 SMPS 的应用可以从提高的效率、密度和可靠性中受益。

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 系列符合 JEDEC 认证，非常适合智能手机 USB 端口的过压保护 (OVP)，也可用作消费电子产品中的电池断路开关。与传统的硅基解决方案相比，40 V GaN 双向开关采用更小的封装，节省了宝贵的 PCB 空间，同时将功率损耗降低 50% 以上。事实上，在 25°C 时，它可以节省 72 mW 的功率损耗，在高温下节省的功率甚至更大。这款 e-mode 常关双向晶体管采用极小的 WL-CSP 封装，典型 RDS(on) 值为 4 mΩ、6 mΩ 和 9 mΩ，是背靠背 Si FET 的理想替代方案，可节省 50% - 75% 的 PCB 面积、减少功率损耗并降低成本。

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丰富的设计资源，助您轻松上手

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