这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

概述

阻断能力高达 8.5 kV 的电触发或光触发晶闸管。IGBT 压接和续流二极管高达 4.5 kV。

关键特性
  • 50/60Hz全阻断能力 
  • 具有高直流阻断稳定性
  • 高浪涌电流耐受能力
  • 高开启 di/dt 能力
  • 高 dv/dt 能力
优势
  • 最大限度地减少维护并减少停机时间
  • 轻松进行系统功率扩展
  • 可实现无保险丝设计

产品

关于

电触发或光触发晶闸管和 IGBT 压接包装

能源需求逐年增加。 当然，其推动因素是全球人口不断增长，而另一方面，生活水平的稳步提高带来的结果是人均用电量日趋增加。

这当然会导致发电量的增加。许多国家的能源资源中心远离负荷中心。对于水力发电厂、风力发电厂和太阳能发电厂等绿色发电而言，更是如此。

在其他项目中，两地距离可能较短，但电力连接的设置很复杂；譬如，海底电缆连接就是如此。在这种情况下，高压直流(HVDC)输电是连接发电点和用电设备所在位置的最佳解决方案。

基于功率半导体的高压直流输电（LCC、VSC）能量传输变得更加重要。功率半导体的最佳组合是关键组成部分。HVDC-LCC 应用需要具有高达 8.5 kV 阻断能力的光触发或电触发晶闸管。 HVDC-VSC 使用高达 4.5 kV 的 IGBT 压接封装和二极管。探索我们用于（HVDC）传输的深度产品组合。

IGBT press packs

我们提供大功率产品组合，包括使用英飞凌的trench 4.5 kV IGBT芯片的新型直接press pack IGBT：英飞凌的Prime Switch。内部芯片堆栈和外壳的创新设计使英飞凌能够创建具有不同电流值和拓扑结构的完美适配产品组合。带或不带内部续流二极管 (FWD) 的 PPI 器件将形成一个完整的新型大功率 IGBT 产品组合。

光触发晶闸管系列

在不久的将来，计划推出高达 12 GW 的高压直流 (HVDC) 输电系统。 对于这种尖端技术，高功率晶闸管是关键组件。 为了减少高电位直接光触发晶闸管(LTT)上的电子器件数量，我们使用了光触发晶闸管。这些 LTT 的优点是便于通过光纤链路进行隔离触发。我们的 Prime Disc 系列集成了击穿二极管(BoD)、dv/dt- 和正向恢复保护(FRP)，有助于简化现代 HVDC 转换器的布局。

电触发晶闸管

光触发和电触发晶闸管(LTT、ETT)专为实现高性能和低损耗而设计。 通过采用低温烧结技术(LTS)，其浪涌电流和闭锁性能达到上限，包括具备高可靠性。

电触发或光触发晶闸管和 IGBT 压接包装

能源需求逐年增加。 当然，其推动因素是全球人口不断增长，而另一方面，生活水平的稳步提高带来的结果是人均用电量日趋增加。

这当然会导致发电量的增加。许多国家的能源资源中心远离负荷中心。对于水力发电厂、风力发电厂和太阳能发电厂等绿色发电而言，更是如此。

在其他项目中，两地距离可能较短，但电力连接的设置很复杂；譬如，海底电缆连接就是如此。在这种情况下，高压直流(HVDC)输电是连接发电点和用电设备所在位置的最佳解决方案。

基于功率半导体的高压直流输电（LCC、VSC）能量传输变得更加重要。功率半导体的最佳组合是关键组成部分。HVDC-LCC 应用需要具有高达 8.5 kV 阻断能力的光触发或电触发晶闸管。 HVDC-VSC 使用高达 4.5 kV 的 IGBT 压接封装和二极管。探索我们用于（HVDC）传输的深度产品组合。

IGBT press packs

我们提供大功率产品组合，包括使用英飞凌的trench 4.5 kV IGBT芯片的新型直接press pack IGBT：英飞凌的Prime Switch。内部芯片堆栈和外壳的创新设计使英飞凌能够创建具有不同电流值和拓扑结构的完美适配产品组合。带或不带内部续流二极管 (FWD) 的 PPI 器件将形成一个完整的新型大功率 IGBT 产品组合。

光触发晶闸管系列

在不久的将来，计划推出高达 12 GW 的高压直流 (HVDC) 输电系统。 对于这种尖端技术，高功率晶闸管是关键组件。 为了减少高电位直接光触发晶闸管(LTT)上的电子器件数量，我们使用了光触发晶闸管。这些 LTT 的优点是便于通过光纤链路进行隔离触发。我们的 Prime Disc 系列集成了击穿二极管(BoD)、dv/dt- 和正向恢复保护(FRP)，有助于简化现代 HVDC 转换器的布局。

电触发晶闸管

光触发和电触发晶闸管(LTT、ETT)专为实现高性能和低损耗而设计。 通过采用低温烧结技术(LTS)，其浪涌电流和闭锁性能达到上限，包括具备高可靠性。

文档

文档